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氮化鋁陶瓷零件
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產品名稱

氮化鋁陶瓷零件
加工精度 0.01mm
是否定制 可按圖紙定制
粗糙度 0.01μm
材料成分 氮化鋁陶瓷
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氮化鋁陶瓷

氮化鋁陶瓷具有高熱導率、高強度、高電阻率、密度小、低介電常數(shù)、無毒、以及與Si相匹配的熱膨脹系數(shù)等優(yōu)異性能，將逐步取代傳統(tǒng)大功率LED基板材料，成為今后最具發(fā)展前途的一種陶瓷基板材料。一般來說，LED發(fā)光效率和使用壽命會隨結溫的增加而下降，當結溫達到125℃以上時，LED甚至會出現(xiàn)失效。為使LED結溫保持在較低溫度下，必須采用高熱導率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，以降低LED總體的封裝熱阻。

 

 

   氮化鋁陶瓷綜合性能優(yōu)良，理論熱導率為320W/（m），具有優(yōu)良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低介電常數(shù)和損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)。 利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機耐蝕部件，利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業(yè)中廣泛應用。

 

 

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